Справочник тунелные диоды

справочник тунелные диоды
При освещении полупроводника в области р-n-перехода генерируются дополнительные пары носителей заряда. Правда, небольшой обратный ток через диод все же будет идти. Это создаёт на прямом участке ВАХ участок, где увеличение прямого напряжения сопровождается уменьшением силы тока.


Общая конструкция импульсных диодов, а также их вольтамперные характеристики практически такие же, как у высокочастотных. Полевые транзисторы наиболее хорошо подходящие для преобразовательной техники. Кроме того, производством серийно выпускаются выпрямительные блоки, которые содержат как последовательно, так и параллельно (для повышения прямого тока) соединенные диоды. Вольты.Iстном — номинальный ток, миллиамперы.Rд — дифференциальное сопротивление, характеризующее зависимость напряжения настабилитроне от тока через него. Хотя практически logic-level полевых транзисторов которые могут не подойти по этому параметру не выпускается. Основные параметры лавинных диодов при нормальной температуре окружающей среды приведены в таблице 4 Выпрямительные столбы.

Исходя из этого основная часть базы — подложка — выполняется низкоомной, а слой базы, прилегающий к переходу, — высокоомным. Туннельный диод – это полупроводниковый диод, в котором используется явление туннельного пробоя при включении в прямом направлении. Общая емкость варикапа СБ — это емкость, включающая барьерную емкость и емкость корпуса, т. е. емкость, измеренная между выводами варикапа при заданном (номинальном) обратном напряжении. Как отмечалось в разд. 1.2, если обратное напряжение превышает значение Uобр. пр, то происходит лавинный пробой р-n-перехода, при котором обратный ток резко возрастает при почти неизменном обратном напряжении. Следует учитывать, что для стабильной работы генератора нужно поддерживать стабильное положение рабочей точки диода. Основными характеристиками светодиодов являются вольтамперная характеристика, а также зависимости мощности и яркости излучения от величины прямого тока.

Похожие записи: